Des scientifiques découvrent à des semi-conducteurs des propriétés magnétiques pour de futures solutions de stockage
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Partager sur ViadeoPar : Cyril Fussy - Vendredi 28 novembre 2008 à 9:21
Certains semi-conducteurs auraient des propriétés magnétiques importantes, permettant d’imaginer des gadgets toujours plus petits et plus rapides.
Des scientifiques du National Institute of Standards & Technology (NIST), de l’Université de Corée et de l’Université de Notre-Dame ont conduit des tests démontrant de rares propriétés magnétiques de matériaux semi-conducteurs pouvant être utilisées dans de futures solutions de stockage. Les circuits logiques pourraient également calculer plus vite, le contrôle des champs électriques de ces semi-conducteurs et leurs propriétés magnétiques permettant non seulement de traiter l’information mais aussi de la stocker.
Le stockage magnétique de données n’est pas nouveau. Il est employé dans les disques durs et les lecteurs MP3, mais le matériau de base est métallique et non semi-conducteur, ce qui réduit les performances.
Les chercheurs ont découvert que dans certaines circonstances, de fines couches de matériel semi-conducteur, comme de l’arséniure de gallium (GaAs), montrent des propriétés de couplage anti-ferromagnétique, une couche alignant son pôle magnétique dans la direction opposée à celle de la couche magnétique suivante.
Les chercheurs ont bombardé de neutrons des empilements de couches de GaAs par une technique de “reflectométrie de neutrons polarisés” comme ils disent. Parce que les neutrons sont magnétiques et peuvent facilement traverser toute la pile de semi-conducteurs, tout neutron qui rebondissait a pu prouver sans aucun doute possible les propriétés magnétiques des couches de semi-conducteurs.
Les savants se sont aperçus qu’à très basse température et soumis à des champs magnétiques faibles, les neutron polarisés montraient des signes clairs d’alignement magnétique anti-parallèle dans les couches voisines. En augmentant l’intensité du champ magnétique, les couches ont démontré des propriétés d’alignement parallèle.
Ils cherchent encore un moyen d’obtenir le même résultat à température ambiante, mais l’équipe du NIST espère que sa première découverte ouvrira la voie dans la bonne direction.
L’I nq
NanoTechWire
Traduction et adaptation d’un article de Sylvie Barak pour INQ.
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