Le graphène pourrait bientôt entrer en production de masse
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Partager sur ViadeoPar : Cyril Fussy - Dimanche 18 janvier 2009 à 11:52
Après avoir alimenté la presse pendant 5 ans de développements, le graphène semble prêt à entrer dans une nouvelle ère de production de masse pour, à terme, peut-être remplacer d’autres matériaux hi-tech dans les écrans voire même sur les cartes mères et dans nos gadgets électroniques encore dépendants du silicium.
Des chercheurs de l’Université de Sungkyunkwan à Suwon, en Corée du sud, menés par le Pr. Byung Hee Hong, ont réussi à produire une galette de graphène en polyethylène terephthalate (PET), qui peut être tordu, et polydimethylsiloxane (PDMS) qui est extensible. Le résultat est un film capable de conduire l’électricité encore mieux que n’importe quel échantillon de graphène jamais produit.
Afin de résoudre les problèmes de production de masse du graphène, l’équipe de Byung Hee Hong a employé une technique de dépôt de vapeurs chimiques qui produit des films de graphène de haute qualité épais de seulement quelques atomes et larges de plusieurs centimètres.
Les échantillons n’ont pas encore atteint le stade de la perfection, mais Byung Hee Hong pense ne pas en être très loin. On peut leur donner n’importe quelle forme et, une fois timbrés sur le polymère, les films peuvent être écartelés de 11% sans perte de conductivité.
Avec des couches de graphène de cette épaisseur, les électrodes sont transparentes, ce qui en fait le candidat parfait pour les écrans de portables en remplacement de l’oxyde de titane et d’indium à la fois cher et non-flexible.
“Nous espérons recevoir des investissements afin de démarrer la production de masse des films de graphène”, prévient Byung Hee Hong.
L’un des premiers à avoir produit du graphène, Andre Geim, de l’Université de Manchester, dit que la production de masse des films “influencera énormément la vitesse de développements dans ce secteur”.
Si les nouvelles sont excitantes pour ceux qui s’intéressent de près au graphène, Byung Hee Hong explique qu’il a de plus grandes ambitions et qu’il va travailler à faire du film de graphène le remplaçant de choix des matériaux à base de silicium dans les technologies des semi-conducteurs.
L’Inq
Nature
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Des chercheurs transforment les nanotubes de carbone en micro-capteurs chimiques
Le graphène est de plus en plus près de remplacer le silicium
Traduction et adaptation d’un article d’Emma Hughes pour INQ.
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Commentaires
Attention : ITO = oxyde d’étain et indium. Pas de titane là-dedans.
Autrement, une couche de quelques atomes d’épaisseurs seulement ne risque-t-elle pas d’être un peu juste en matière de transmission de courant ?
“Attention : ITO = oxyde d’étain et indium. Pas de titane là-dedans.”
Plus précisément, le titane sert de dopant dans l’oxyde d’indium, apparemment.
“quelques atomes d’épaisseurs seulement ne risque-t-elle pas d’être un peu juste en matière de transmission de courant ?”
L’avantage du graphène est sa très faible résistance à l’électricité, apparemment.
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